ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Type: Small Signal
Vgs(th): 1.1 V
Vgs (Max): 10V
Power consumption: 350mW
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 20V
Continuous drain current: 230mA
Input Capacitance (Ciss): 14.1pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 3Ohm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5|4.5V
