ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Fall Time: 4.193 ms
Rise Time: 2.186 ms
Technology: Si
Unit Weight: 2.600 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 45.7 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 2.47 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Typical Turn-On Delay Time: 1.005 ms
Typical Turn-Off Delay Time: 2.643 ms
Id - Continuous Drain Current: 24.4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 350 mV
