Central Semiconductor 2N5209 PBFREE BJTs - ບາຍໂປລາ ແທຣນຊິສຕໍເຣີ NPN Gen Pur SS
Model2N5209 PBFREE
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Unit Weight: 453.600 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Gain Bandwidth Product fT: 30 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 4.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ