For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.COM.LA
0
Product image

Central Semiconductor 2N4416A TIN/LEAD JFETs N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW

ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ

Technology: Si

Unit Weight: 431.107 mg

Configuration: Single

Mounting Style: Through Hole

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 300 mW

Gate-Source Cutoff Voltage: 6 V

Drain-Source Current at Vgs=0: 15 mA

Maximum Operating Temperature: + 200 C

Minimum Operating Temperature: - 65 C

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 35 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 35 V

ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ

ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.

ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.

ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ

ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ